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GP 1
導體採用鍍高純度銀的高純度OFC (0.45×35條×3,紅/藍/白),將最合適的粗度,條數,絞合線的間隔都高層次調整的同心絞合結構,盡量減少時間軸歪。

Insulation採用低誘電損失和防止在各頻寬裡發生的誘電率歪的HIFLON FEP。

於制振,帶電防止及噪音對策,在一次側採用特殊混合的導電體carbon silicon+綿絲,在二次側採用AL,編織屏蔽,規格萬全。

於端子,在外殼採用純銅及carbon做噪音對策及制振對策,在端子部採用信賴性高的鍍金規格,確保長期得穩定性和安全性,再現高性能。

於音質方面,可以感受到很自然的音樂重現,排除細節損失的有透明感的音場空間,之外能實現對大功率也不可動搖,被制動支持的精力感和最佳的音樂平衡的Reference Hi-end Model。
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G1B Sophia
導體採用鍍高純度銀的高純度OFC(0.32×61條)。

絕緣材用低誘電損失和防止在各頻寬裡發生的誘電率歪的HIFLON FEP,採用平行配置盡量少在高頻帶的位相歪。

導體採用將合適的粗度,條數,絞合線的間隔都高層次調整的同心絞合結構,盡量減少時間軸歪,再現正確的位相,自然的音場。

於制振噪音對策,採用不含金屬成份的特殊導電體carbon silicon,使低噪音化和低電感相結合,實現自然且到全頻寬的靜寂性。

為了提高長期穩定性採用特殊皮膜,并且與和紙複合提高帶電低減等長期信賴性。

於SP端子,盡量減少傳送損失,再現音色的統一感,採用與導體共同的鍍高純度銀,并且為了在端子部做噪音,制振對策,採用新設計的Dry Carbon端子。

從小功率到大功率,能實現自然且保持平衡的音樂重現,之外能實現對連續的大功率也不可動搖,被制動支持的精力感的Reference Hi-End Model。
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G1Y Sophia
導體採用鍍高純度銀的高純度OFC(0.32×61條)。

絕緣材用低誘電損失和防止在各頻寬裡發生的誘電率歪的HIFLON FEP,採用平行配置盡量少在高頻帶的位相歪。

導體採用將合適的粗度,條數,絞合線的間隔都高層次調整的同心絞合結構,盡量減少時間軸歪,再現正確的位相,自然的音場。

於制振噪音對策,採用不含金屬成份的特殊導電體carbon silicon,使低噪音化和低電感相結合,實現自然且到全頻寬的靜寂性。

為了提高長期穩定性採用特殊皮膜,并且與和紙複合提高帶電低減等長期信賴性。

於SP端子,盡量減少傳送損失,再現音色的統一感,採用與導體共同的鍍高純度銀,并且為了在端子部做噪音,制振對策,採用新設計的Dry Carbon端子。

從小功率到大功率,能實現自然且保持平衡的音樂重現,之外能實現對連續的大功率也不可動搖,被制動支持的精力感的Reference Hi-End Model。
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G1 音箱線
導體採用高純鍍度銀和高純度的OFC(0.32 x 61條)

Insulation採用低誘電損失和防止在各頻寬裡發生的誘電率歪的HIFLON FEP。採用平行配置盡量減少在高頻帶的位相歪。

導體採用將最合適的粗度、條數、絞合線的間隔都高層次調整的同心絞合結構、盡量減少時間軸歪、再現正確的位相、自然的音場。

於壓制噪音對策、採用不含金屬成分的特殊導電體carbon silicon、使低噪音化和低電感相結合、實現自然且到全頻寬的靜寂性。

為了盡量減少傳送損失、再現音色的統一感、SP端子特別採用與導體共同的高純度鍍銀和高純度銅材質。

從小功率到大功率,能實現自然且保持平衡的音樂重現、之外能實現對連續的大功率也不可動搖、被制動支持的精力感的極級監聽型號。
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GXR1 Sophia
導體採用鍍高純度銀的高純度OFC(+側:0.26×37條,-側:0.26×37條,橫卷屏蔽層:0.12×各59條)。

絕緣材採用低誘電損失和防止在各頻寬裡發生的誘電率歪的HIFLON FEP,使用在導體及外部屏蔽的DUAL HIFLON結構。

傳送的hot,cold,屏蔽都成為同軸的各芯結構,採用平行配置(包括地線),盡量減少在高頻帶的位相歪。

導體採用將最合適的粗度,條數,絞合線的間隔都高層次調整的同心絞合結構,盡量減少時間軸歪,再現正確的位相,自然的音場。

於制振噪音對策,採用不含金屬成份的特殊導電體Carbon Silicon,使低噪音化和低電感相結合,實現自然且到全頻寬的靜寂性。

為了提高長期穩定性採用特殊皮膜,并且與和紙複合提高帶電低減等長期信賴性。

於RCA/XLR端子,盡量減少傳送損失,再現音色的統一感,採用與導體共同的鍍高純度銀,并且為了在端子部做噪音,制振對策,採用新設計的Dry Carbon端子。

在自然的平衡當中,正確的音場空間,追究到底的超廣頻寬傳送性能,此款式直接傳到人的感性“感動”的Reference Hi-End Model。
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GR1 Sophia
導體採用鍍高純度銀的高純度OFC(+側:0.26×37條,-側:0.26×37條,橫卷屏蔽層:0.12×各59條)。

絕緣材採用低誘電損失和防止在各頻寬裡發生的誘電率歪的HIFLON FEP,使用在導體及外部屏蔽的DUAL HIFLON結構。

傳送的hot,cold,屏蔽都成為同軸的各芯結構,採用平行配置(包括地線),盡量減少在高頻帶的位相歪。

導體採用將最合適的粗度,條數,絞合線的間隔都高層次調整的同心絞合結構,盡量減少時間軸歪,再現正確的位相,自然的音場。

於制振噪音對策,採用不含金屬成份的特殊導電體Carbon Silicon,使低噪音化和低電感相結合,實現自然且到全頻寬的靜寂性。

為了提高長期穩定性採用特殊皮膜,并且與和紙複合提高帶電低減等長期信賴性。

於RCA/XLR端子,盡量減少傳送損失,再現音色的統一感,採用與導體共同的鍍高純度銀,并且為了在端子部做噪音,制振對策,採用新設計的Dry Carbon端子。

在自然的平衡當中,正確的音場空間,追究到底的超廣頻寬傳送性能,此款式直接傳到人的感性“感動”的Reference Hi-End Model。
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