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SAP 1
導體採用鍍高純度銀的高純度OFC (0.32×2條×3,紅/藍/白),將最合適的粗度,條數,絞合線的間隔都高層次調整的同心絞合結構,盡量減少時間軸歪。

Insulation採用低誘電損失和防止在各頻寬裡發生的誘電率歪的HIFLON FEP。

於制振,帶電防止及噪音對策,在一次側採用特殊混合的導電體carbon silicon+綿絲,在二次側採用AL,編織屏蔽,規格萬全。

於端子,在外殼採用AL,在端子部採用信賴性高的鍍金規格,確保長期得穩定性和安全性,再現高性能。

於音質方面,可以感受到很自然的音樂重現,排除細節的有透明感的音場空間,Hi-speed及Hi-response的Reference Model。
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S1B Chronos
導體採用鍍高純度銀的高純度OFC(0.404×19條)。

絕緣材用低誘電損失和防止在各頻寬裡發生的誘電率歪的HIFLON FEP,採用平行配置盡量少在高頻帶的位相歪。

導體採用將合適的粗度,條數,絞合線的間隔都高層次調整的同心絞合結構,盡量減少時間軸歪,再現正確的位相,自然的音場。

於制振噪音對策,採用不含金屬成份的特殊導電體carbon silicon,使低噪音化和低電感相結合,實現自然且到全頻寬的靜寂性。

為了提高長期穩定性採用特殊皮膜,并且與和紙複合提高帶電低減等長期信賴性。

於SP端子,盡量減少傳送損失,再現音色的統一感,採用與導體共同的鍍高純度銀的端子。

雖然是小功率,能夠感受到自然且保持平衡的音樂重現,透明洋溢的深度感,天花板的高度表現等音場空間的Reference Hi-End Model。
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S1Y Chronos
導體採用鍍高純度銀的高純度OFC(0.404×19條)。

絕緣材用低誘電損失和防止在各頻寬裡發生的誘電率歪的HIFLON FEP,採用平行配置盡量少在高頻帶的位相歪。

導體採用將合適的粗度,條數,絞合線的間隔都高層次調整的同心絞合結構,盡量減少時間軸歪,再現正確的位相,自然的音場。

於制振噪音對策,採用不含金屬成份的特殊導電體carbon silicon,使低噪音化和低電感相結合,實現自然且到全頻寬的靜寂性。

為了提高長期穩定性採用特殊皮膜,并且與和紙複合提高帶電低減等長期信賴性。

於SP端子,盡量減少傳送損失,再現音色的統一感,採用與導體共同的鍍高純度銀的端子。

雖然是小功率,能夠感受到自然且保持平衡的音樂重現,透明洋溢的深度感,天花板的高度表現等音場空間的Reference Hi-End Model。
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S1 音箱線
導體採用高純度鍍銀和高純度的OFC(0.404 x 19條)

Insulation採用低誘電損失和防止在各頻寬裡發生的誘電率歪的HIFLON FEP。採用平行配置盡量減少在高頻帶的位相歪。

導體採用將最合適的粗度、條數、絞合線的間隔都高層次調整的同心絞合結構、盡量減少時間軸歪、再現正確的位相、自然的音場。

於壓制噪音對策、採用不含金屬成分的特殊導電體carbon silicon、使低噪音化和低電感相結合、實現自然且到全頻寬的靜寂性。

為了盡量減少傳送損失、再現音色的統一感、SP端子特別採用與導體共同的高純度鍍金和高純度銅材質。

在小功率的情況下也可感受自然且保持平衡的音樂重現、洋溢透明感,還能感受進深感,天花高度等音場空間的高級監聽型號.
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SXR1 Chronos
導體採用鍍高純度銀的高純度OFC(+側:0.18×19條,-側:0.18×19條,橫卷屏蔽層:0.12×各59條)。

絕緣材採用低誘電損失和防止在各頻寬裡發生的誘電率歪的HIFLON FEP,使用在導體及外部屏蔽的DUAL HIFLON結構。

傳送線的hot,cold成為各芯結構,盡量減少在高頻帶的位相歪,在絕緣體和導體之間採用包含空氣層的介在綿絲,防止在低頻帶上升電容量。

導體採用將最合適的粗度,條數,絞合線的間隔都高層次調整的同心絞合結構,盡量減少時間軸歪,再現正確的位相,自然的音場。

於 制振噪音對策,採用不含金屬成份的特殊導電體Carbon Silicon,使低噪音化和低電感相結合,實現自然且到全頻寬的靜寂性。

為了提高長期穩定性採用特殊皮膜,并且與和紙複合提高帶電低減等長期信賴性。

於RCA/XLR端子,盡量減少傳送損失,再現音色的統一感,採用與導體共同的鍍高純度銀端子,

這次採用能確保出色的頻道分隔的mono結構,由重視時間軸的設計實現正確且明瞭的音場的Reference Hi-End Model。
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SR1 Chronos
導體採用鍍高純度銀的高純度OFC(+側:0.18×19條,-側:0.18×19條,橫卷屏蔽層:0.12×各59條)。

絕緣材採用低誘電損失和防止在各頻寬裡發生的誘電率歪的HIFLON FEP,使用在導體及外部屏蔽的DUAL HIFLON結構。

傳送線的hot,cold成為各芯結構,盡量減少在高頻帶的位相歪,在絕緣體和導體之間採用包含空氣層的介在綿絲,防止在低頻帶上升電容量。

導體採用將最合適的粗度,條數,絞合線的間隔都高層次調整的同心絞合結構,盡量減少時間軸歪,再現正確的位相,自然的音場。

於 制振噪音對策,採用不含金屬成份的特殊導電體Carbon Silicon,使低噪音化和低電感相結合,實現自然且到全頻寬的靜寂性。

為了提高長期穩定性採用特殊皮膜,并且與和紙複合提高帶電低減等長期信賴性。

於RCA/XLR端子,盡量減少傳送損失,再現音色的統一感,採用與導體共同的鍍高純度銀端子,

這次採用能確保出色的頻道分隔的mono結構,由重視時間軸的設計實現正確且明瞭的音場的Reference Hi-End Model。
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